射频功率晶体管

商用航空航天射频
  • AFIC10275N: 978-1090 MHz,250 W 峰值,50 V Airfast LDMOS宽带射频集成放大器
  • AFV121KH: 1000 W峰值,960-1215 MHz,50 V Airfast LDMOS射频功率晶体管
  • AFV141KH: 1200-1400 MHz,1000 W峰值,50 V LDMOS射频功率晶体管
  • MRF6V10010N: 1090 MHz,10 W,50 V脉冲射频功率LDMOS
  • MRF6V12250H: 960-1215 MHz,275 W,50 V脉冲射频功率LDMOS
  • MRF6V12500H: 960-1215 MHz,500 W,50 V脉冲射频功率LDMOS
  • MRF6V13250H: 1300 MHz,250 W,50 V射频功率LDMOS
  • MRF6V14300H: 1400 MHz,330 W,50 V脉冲射频功率LDMOS
  • MRF6VP121KH: 965-1215 MHz,1000 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF7S35120HSR3: 3100-3500 MHz, 120 W Peak, 32 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET
  • MRF8P29300H: 2700-2900 MHz,320 W,30 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRFE6VP100H: 1.8-2000 MHz,100 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VS25L: 1.8-2000 MHz,25 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VS25N: 1.8-2000 MHz,25 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
工业、科学和医疗射频
  • MRF1K50H: 1.8-500 MHz,1500 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRF1K50N: 1.8-500 MHz,1500 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRF24300N: 300 W连续波,2400-2500 MHz,32 V LDMOS射频功率晶体管
  • MRF6P24190HR6: 2450 MHz,190 W,28 V连续波射频功率LDMOS
  • MRF6S24140H: 2450 MHz,140 W,28 V连续波射频功率LDMOS
  • MRF6V2010N: 10-450 MHz,10 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF6V2150N: 10-450 MHz,150 W,50 V单端宽带射频功率LDMOS
  • MRF6V2300N: 10-600 MHz,300 W,50 V单端宽带射频功率LDMOS
  • MRF6V3090N: 470-860 MHz,90 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRF6V4300N: 10-600 MHz,300 W,50 V单端宽带射频功率LDMOS
  • MRF6VP11KH: 1.8-150 MHz,1000 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF6VP21KH: 10-235 MHz,1000 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF6VP2600H: 2-500 MHz,600 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF6VP3091N: 470-860 MHz,90 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRF6VP3450H: 860 MHz,450 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF6VP41KH: 10-500 MHz,1000 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF7S24250N: 250 W连续波,2400-2500 MHz,32 V射频功率LDMOS晶体管
  • MRF8VP13350N: 700-1300 MHz,350 W连续波,50 V LDMOS射频功率晶体管
  • MRFE6P3300H: 860 MHz,300 W,32 V射频功率LDMOS
  • MRFE6S9060NR1: 880 MHz,14 W平均值,28 V,单载波N-CDMA横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRFE6VP100H: 1.8-2000 MHz,100 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VP5150N: 1.8-600 MHz,150 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VP5300N: 1.8-600 MHz,300 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VP5600H: 1.8-600 MHz,600 W连续波,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRFE6VP61K25H: 1.8-600 MHz,1250 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VP61K25N: 1.8-600 MHz,1250 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VP6300H: 1.8-600 MHz,300 W,50 V宽带射频功率LDMOS
  • MRFE6VP6600N: 1.8-600 MHz,600 W连续波,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VP8600H: 470-860 MHz,600 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VS25L: 1.8-2000 MHz,25 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE6VS25N: 1.8-2000 MHz,25 W,50 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRFE8VP8600H: 平均值为140 W,频率470-860 MHz的50 V射频功率LDMOS晶体管
  • MW7IC2425N: 2450 MHz,25 W连续波,28 V射频功率LDMOS
移动无线电射频
  • AFIC901N: 30 dBm,频率为1.8-1000 MHz,7.5 V Airfast宽带射频集成LDMOS放大器
  • AFM906N: 6 W连续波,136-941 MHz,7.5 V Airfast? LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT05MP075N: 136-520 MHz,70 W,12.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT05MS003N: 3 W连续波,1.8-941 MHz,7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT05MS004N: 136-941 MHz,4 W,7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT05MS006N: 136-941 MHz,6.0 W,7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT05MS031N: 136-520 MHz,31 W,13.6 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT09MP055N: 764-941 MHz,55 W,12.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT09MS007N: 136-941 MHz,7 W,7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • AFT09MS015N: 136-941 MHz,16 W,12.5 V 宽带LDMOS射频功率晶体管
  • AFT09MS031N: 764-941 MHz,31 W,13.6 V LDMOS宽带射频功率晶体管
  • MRF1511NT1: 175 MHz,8 W,7.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRF1513NT1: 520 MHz,3 W,12.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRF1517NT1: 520 MHz,8 W,7.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRF1518NT1: 520 MHz,8 W,12.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRF1535N: 520 MHz,35 W,12.5 V横向N信道宽带射频功率MOSFET
  • MRF1550N: 175 MHz,50 W,12.5 V宽带射频功率LDMOS
  • MRF1570N: 470 MHz,70 W,12.5 V宽带射频功率LDMOS
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